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TH199X係列的7個型號容易被簡化為“1通道和2通道”兩組，但同通道數內部的A/B/無後綴差異，對測試能力的影響與通道數差異同等重要。先看四維度對比表（參數依據同惠電子官方資料整理，與產品詳情頁數據一致，此處側重差異解讀）。

7型號四維度對比表

七個型號在四個維度上的梯度可歸納為：TH1991C電壓量程±63V、直流電流±1.515A、無脈衝輸出，源與測量分辨率分別為1pA與100fA，最小采樣間隔50μs；TH1991B與TH1992B電壓量程±210V、直流電流±3.03A、脈衝電流±10.5A，源與測量分辨率分別為100fA與10fA，間隔20μs；TH1991A與TH1992A量程電流同前，源與測量分辨率分別為1pA與100fA，間隔10μs；TH1991與TH1992源與測量分辨率均為10fA，間隔1μs。其中雙通道型號為TH1992B、TH1992A與TH1992。

維度一：電壓量程

這一維隻有兩種取值：±63V和±210V，邊界很清晰。TH1991C是唯一限製在±63V的型號，其餘6個型號全部到±210V。影響也很直接：TH1991C覆蓋不了需要高於63V偏置的測試——比如部分功率半導體的耐壓評估、高壓光伏模組。反過來，如果測試對象最高電壓就在60V以下，TH1991C的量程剛好匹配；但若產線未來可能上高壓測試，TH1991C就會成為瓶頸，選型時要把這個“未來窗口”算進去。

維度二：電流能力與脈衝

TH1991C直流電流±1.515A、無脈衝輸出；其餘6個型號直流±3.03A、脈衝±10.5A，脈寬最小50μs。脈衝能力的有無，直接決定型號能不能用於MOSFET/IGBT的導通特性評估——因為直流大電流會讓器件自熱，Rds(on)的真實值被熱效應改掉，脈衝激勵才能在不改變器件溫度的前提下拿到讀數。

維度三：分辨率（源與測量）

同通道數內部，A/B/無後綴的分水嶺在分辨率和速度。逐檔看：TH1991C電流源分辨率1pA、測量分辨率100fA；B檔源分辨率升到100fA、測量分辨率10fA；A檔源分辨率回到1pA、測量分辨率100fA；無後綴的TH1991/TH1992源與測量電流分辨率均為10fA、電壓源分辨率100nV。落到使用上：B檔已經能扛住多數半導體器件的暗電流和亞閾值特性測試；A檔適合不需要fA級源輸出精度、但需要微電流測量的場景；無後綴是源和測量同時到極限，前提是信號鏈（線纜、夾具、屏蔽）的噪聲也做到fA級，否則分辨率被係統噪聲淹沒，錢花得不值。

維度四：最小采樣間隔

TH1991C為50μs，B檔20μs，A檔10μs，無後綴檔1μs。采樣間隔決定動態過程的分辨能力：CC-CV切換、脈衝瞬態、快速掃描這類場景，間隔越小，數據點越密，拐點定位越準。若測試以靜態或準靜態參數為主，20μs的B檔已經夠用；隻有關注瞬態行為時，A檔或無後綴檔才體現價值。

按需求的對比建議

先確定電壓和脈衝需求（排除或納入TH1991C），再在B/A/無後綴之間選擇分辨率與速度檔位，最後決定單通道或雙通道。對比之後仍拿不準選哪個，可聯係免费看片网址電子工作人員，按實際需求定型號。