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從MOSFET寄生電容的分布參數切入，解釋測試頻率升高後Ciss/Coss讀數變化的物理原因，以及2MHz頻率上限在什麽場景下需要用到。

同一顆MOSFET，用100kHz測Ciss得到一個值，換到1MHz測，讀數可能不一樣。這不是儀器的問題，是電容本身的頻率特性。

一、寄生電容不是理想電容

MOSFET內部的Cgs、Cgd、Cds不是理想的平行板電容。它們由半導體結構中的耗盡層電容和氧化層電容組成，還串聯了柵極多晶矽電阻、溝道電阻等寄生電阻。這些電阻和電容構成了一個分布式的RC網絡。

在低頻下，RC網絡的阻抗主要由電容決定，測到的就是電容值。頻率升高後，電阻的阻抗占比增大，測量電路看到的等效阻抗不再是一個純電容，讀數開始偏離低頻值。

二、測試頻率越高，越接近器件實際工作狀態

功率器件在開關過程中，柵極驅動信號的頻率成分覆蓋了從幾十kHz到幾MHz的範圍。用1MHz測試頻率測量Ciss，比用100kHz更接近器件在實際開關瞬態中的表現。

TH511的2MHz頻率上限，覆蓋了1MHz這個行業通用測試點，也覆蓋了部分高頻器件的測試需求。對於需要在更高頻率下評估器件特性的場景，2MHz提供了餘量。

三、不同頻率下的C-V曲線形態

Ciss隨VGS的變化曲線，在低頻和高頻下形態可能不同。低頻下，耗盡層電容隨柵極電壓的變化被完整測量。高頻下，部分慢速界麵態來不及響應，測到的電容值偏小。TH511的2MHz頻率上限，讓用戶可以在多個頻率點下測量C-V曲線，觀察頻率對電容的影響。

四、參數解讀表

五、不適用邊界

頻率特性的分析不適用於低頻段（<100kHz）的常規測量。不適用於器件本身存在柵極漏電的異常情況。不適用於將高頻讀數直接等同於低頻讀數的場景。

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